Navegação por Assunto "Oxigênio"
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2022 Brazilian Thoracic Association recommendations for long-term home oxygen therapy
(2022) [Artigo de periódico]Some chronic respiratory diseases can cause hypoxemia and, in such cases, long-term home oxygen therapy (LTOT) is indicated as a treatment option primarily to improve patient quality of life and life expectancy. Home oxygen ... -
Amorphization/recrystallization of buried amorphous silicon layer induced by oxygen ion implantation
(2004) [Artigo de periódico]In this paper we discuss the structural modifications observed in a buried amorphous Si (α-Si) layer containing high oxygen concentration level (up to ~ 3 at.%) after being implanted at elevated temperature with 16O+ ions. ... -
Atomic transport across the interfaces during the formation of ultrathin silicon oxide/nitride/oxide films
(1998) [Artigo de periódico]The redistribution of O and N during the final, thermal oxidation in dry O2 step in the formation of ultrathin silicon oxide/nitride/oxide dielectric films ~ONO! was investigated using isotopic tracing and depth profiling ... -
Bioavailable phenolic compounds from olive pomace present anti-neuroinflammatory potential on microglia cells
(2023) [Artigo de periódico]The neuroinflammatory process is considered one of the main characteristics of central nervous system diseases, where a pro-inflammatory response results in oxidative stress through the generation of reactive oxygen and ... -
Caracterização elétrica de estruturas metal/dielétrico high-k/Si
(2005) [Dissertação]Foram estudadas as propriedades elétricas de estruturas MOS envolvendo materiais com Zr e Hf: Al/HfO2/Si, Al/HfAlO/Si, Al/ZrO2/Si e Al/ZrAlO/Si depositadas por JVD (Jet Vapor Deposition) submetidas a diferentes doses de ... -
Correlação entre propriedades elétricas e estruturais em filmes finos de sulfeto de cádmio produzidos por ablação a laser
(2014) [Tese]O sulfeto de cádmio (CdS) é um semicondutor calcogeneto do tipo II-VI com band gap direto de 2,4 eV. Desperta interesse acadêmico e tecnológico na confecção de dispositivos optoeletrônicos e células solares e vem sendo ... -
Diffusion reaction of oxigen in aluminum oxide films on silicon
(2002) [Artigo de periódico]Aluminum oxide films deposited on silicon by atomic layer chemical vapor deposition were annealed in an ¹⁸O-enriched oxygen atmosphere under various conditions of temperature, time, and pressure. Cavity formation at the ... -
Estudo da difusão de intersticiais em matrizes de α-Ti
(2008) [Dissertação]O objetivo desta dissertação consiste no estudo da difusão dos intersticiais, 15N e 18O, em uma matriz de α-Ti. A motivação se origina do fato de haver na literatura resultados contraditórios sobre o comportamento difusivo ... -
Estudo da estabilidade termodinâmica de filmes ultrafinos de HfO/sub 2/ sobre Si
(2002) [Dissertação]O presente estudo relata a composição, transporte atômico, estabilidade termodinâmica e as reações químicas durante tratamentos térmicos em atmosfera de argônio e oxigênio, de filmes ultrafinos de HfO2 depositados pelo ... -
Estudo da perda de energia de Be, B e O em direções aleatórias e canalizadas de alvos de Si e determinação da respectiva contribuição Barkas
(2004) [Tese]Neste trabalho de tese, foi estudada a perda de energia de íons de Be, B e O incidindo em direção aleatória e ao longo dos canais axiais <100> e <110> do Si. Os intervalos de energia nos quais as medidas experimentais foram ... -
Estudo experimental de filmes ultrafinos de oxinitretos de silício por substituição isotópica e perfilometria com resolução subnanométrica
(1999) [Tese]Traçagem isotópica foi usada para investigar o transporte atômico durante o crescimento térmico de filmes de oxinitreto de silício em lâminas de silício previamente implantadas com íons de nitrogênio a energias muito baixas, ... -
Experimental and theoretical study of the energy loss of C and O in Zn
(2011) [Artigo de periódico]We present a combined experimental-theoretical study of the energy loss of C and O ions in Zn in the energy range 50–1000 keV/amu. This contribution has a double purpose, experimental and theoretical. On the experimental ... -
Fatores preditivos de dessaturação de oxigênio em pacientes submetidos à colangiopancreatografia endoscópica retrógrada sob sedação consciente
(2001) [Dissertação]A hipoxemia pode ocorrer durante a Colangiopancreatografia Endoscópica Retrógrada (CPER) porque alguma analgesia e sedação precisam ser realizadas. O posicionamento do paciente em pronação dificulta a ventilação adequada. ... -
A high-energy electron scattering study of the electronic structure and elemental composition of O-implanted Ta films used for the fabrication of memristor devices
(2013) [Artigo de periódico]High-energy electron scattering is used to investigate Ta films implanted with 10 keV O ions. These films are of interest as they have been used for the fabrication of memristors. High-energy electron scattering is used ... -
Hydrogen trapping in oxigen-deficient hafnium silicates
(2007) [Artigo de periódico]Isotopic substitution, nuclear reaction analysis, and x-ray photoelectron spectroscopy were employed to show that oxygen-deficient hafnium (Hf) silicates trap hydrogen atoms. Based on this experimental observation, we used ... -
Isotopic substitution of si during thermal growth of ultrathin silicon-oxide films on si(111) in o/sub 2/
(1999) [Artigo de periódico]The transport of Si atoms during thermal growth of silicon-oxide films on silicon in dry O2 was investigated by isotopic substitution of Si. The experiment consisted of depositing a 7.6-nm-thick epitaxial layer of 29Si on ... -
Isotopic tracing during rapid thermal growth of silicon oxynitride films on Si in O2, NH3, and N2O
(1997) [Artigo de periódico]We performed isotopic tracing of O, N, and H during rapid thermal growth of silicon oxynitride films on silicon in two different sequential, synergistic gas environments: O2, followed by NH3, then followed by N2O; and N2O, ... -
Mechanical strain and damage in Si implanted with O and N ions at elevated temperatures : evidence of ion beam induced annealing
(2001) [Artigo de periódico]The accumulation of damage and the development of mechanical strain in crystalline Si (c-Si) by O and N ion implantation to doses up to 431017 cm-² at elevated temperatures have been studied using Rutherford backscattering ... -
Perfluoroalcanos lineares e perfluorodecalinas: parametrização de campo de força consistente com AMBER99 e estudo da solvatação do oxigênio molecular
(2011) [Dissertação]Os compostos perfluorados possuem potencial para terapias de ventilação líquida e como substituintes sintéticos de sangue. No presente trabalho, propõe-se um campo de força consistente com a metodologia AMBER para ... -
Predictive factors of oxigen desaturation of patients submitted to endoscopic retrograde cholangiopancreatography under conscious sedation
(2004) [Artigo de periódico]Background and Aims - Hypoxemia can occur during endoscopic retrograde cholangíopancreatography probably induced by the analgesia and sedation done. Moreover the patient's prone position difficults the adequate ventilation. ...