Estudo da estabilidade termodinâmica de filmes ultrafinos de HfO/sub 2/ sobre Si
dc.contributor.advisor | Morais, Jonder | pt_BR |
dc.contributor.author | Bastos, Karen Paz | pt_BR |
dc.date.accessioned | 2007-06-06T17:22:23Z | pt_BR |
dc.date.issued | 2002 | pt_BR |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10183/2492 | pt_BR |
dc.description.abstract | O presente estudo relata a composição, transporte atômico, estabilidade termodinâmica e as reações químicas durante tratamentos térmicos em atmosfera de argônio e oxigênio, de filmes ultrafinos de HfO2 depositados pelo método de deposição química de organometálicos na fase vapor (MOCVD) sobre Si, contendo uma camada interfacial oxinitretada em NO (óxido nítrico). A caracterização foi realizada utilizando-se técnicas de análise por feixes de íons e espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios-X (XPS). Também foram realizadas medidas elétricas sobre os filmes. Os estudos indicaram que esta estrutura é essencialmente estável aos tratamentos térmicos quando é feito um pré-tratamento térmico em atmosfera inerte de argônio, antes de tratamento em atmosfera reativa de oxigênio, exibindo uma maior resistência à incorporação de oxigênio do que quando foi diretamente exposta à atmosfera de oxigênio. Tal estabilidade é atribuída a um sinergismo entre as propriedades do sistema HfO2/Si e a barreira à difusão de oxigênio constituída pela camada interfacial oxinitretada. A composição química dos filmes após os tratamentos térmicos é bastante complexa, indicando que a interface entre o filme e o substrato tem uma composição do tipo HfSixOyNz. Foi observada a migração de Hf para dentro do substrato de Si, podendo esta ser a causa de degradação das características elétricas do filme. | pt_BR |
dc.format.mimetype | application/pdf | pt_BR |
dc.language.iso | por | pt_BR |
dc.rights | Open Access | en |
dc.subject | Filmes finos | pt_BR |
dc.subject | Transporte atomico | pt_BR |
dc.subject | Termodinâmica | pt_BR |
dc.subject | Reacoes quimicas especificas | pt_BR |
dc.subject | Argônio | pt_BR |
dc.subject | Oxigênio | pt_BR |
dc.subject | Deposição de vapor químico | pt_BR |
dc.subject | Silício | pt_BR |
dc.subject | Feixes de íons | pt_BR |
dc.subject | Espectroscopia | pt_BR |
dc.subject | Háfnio | pt_BR |
dc.title | Estudo da estabilidade termodinâmica de filmes ultrafinos de HfO/sub 2/ sobre Si | pt_BR |
dc.type | Dissertação | pt_BR |
dc.contributor.advisor-co | Baumvol, Israel Jacob Rabin | pt_BR |
dc.identifier.nrb | 000370661 | pt_BR |
dc.degree.grantor | Universidade Federal do Rio Grande do Sul | pt_BR |
dc.degree.department | Instituto de Física | pt_BR |
dc.degree.program | Curso de Pós-Graduação em Física | pt_BR |
dc.degree.local | Porto Alegre, BR-RS | pt_BR |
dc.degree.date | 2002 | pt_BR |
dc.degree.level | mestrado | pt_BR |
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