Navegação Microeletrônica por Assunto "Dióxido de silício"
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Filmes de SiO2 depositados e crescidos termicamente sobre SiC : caracterização físico-química e elétrica
(2013) [Dissertação]O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta freqüência e/ou temperatura. Além disso, um filme ... -
Investigação de defeitos e de métodos passivadores da região interfacial SiO2/SiC
(2017) [Tese]O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta frequência e/ou alta temperatura. Além disso, é ... -
Sulfurização de filmes de WO3 visando à obtenção do material semicondutor bidimensional WS2
(2021) [Dissertação]The subject of this work is the study of the WS2 growth process, by sulfurization of a sputter-deposited WO3 film, on silicon oxide (SiO2). The influence of different growth parameters will be discussed and demonstrated, ...