Navegação Microeletrônica por Assunto "Germânio"
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Efeito do eletrodo de platina e da passivação com enxofre na formação de filmes dielétricos sobre germânio
(2014) [Dissertação]As estruturas metal-óxido-semicondutor (MOS) são o coração dos transistores de efeito de campo. O estudo e caracterização físico-química desses dispositivos foram a chave para o avanço da tecnologia do Si na indústria ... -
Ensemble Monte Carlo simulation of hole transport in Si, Ge and SiGe Alloys
(2020) [Dissertação]Electrical behavior of microelectronic devices can be described by analyzing charge carrier transport. In this work, an Ensemble Monte Carlo code was adapted to simulate hole transport inside silicon, germanium and SiGe ... -
Estabilização de filmes finos de óxido de germânio por incorporação de nitrogênio visando aplicações em nanoeletrônica
(2013) [Dissertação]De maneira a melhorar o desempenho de um Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET), o germânio (Ge) é um forte candidato para substituir o silício (Si) como semicondutor, devido a sua alta mobilidade ... -
Materiais semicondutores alternativos ao silício : passivação do germânio e síntese de dissulfeto de molibdênio
(2020) [Tese]Nas últimas décadas a indústria da microeletrônica evoluiu rapidamente. Atualmente, novos materiais semicondutores têm sido pesquisados para substituir o Si em dispositivos. No presente trabalho, foram estudados o processamento ...