Estrutura do InP amorfo obtido por implantação iônica

Abstract

O objetivo deste trabalho é estudar a estrutura local de semicondutores amofizados via implantação iônica. Utilizaremos a região de EXAFS de espectros de absorção de raios-x para identificar as modificações induzidas nos materiais devido ao processo de amorfização, como o surgimento de ligações homopolares, mudanças nos números de coordenação e na distribuição estatística de distâncias interatômicas. Além disso, analisaremos os defeitos relacionados ao processo de relaxação estrutural decorrente do surgimento de configurações metaestáveis na estrutura do semicondutor, com base em medições de EXAFS na amostra tratada termicamente em temperaturas diferentes, até sua consequente recristalização. Por fim, queremos saber como a urgência de implantação influência o grau de amorfização das amostras.

The aim of this work is to study the local structure of binary semiconductors amorphised by ion implantation. We use EXAFS spectra to identify structural disorder induced by ion-implantation into the material, such as homopolar bonding, under/overcoordination and the broadening of the distribution of interatomic distances. In addition, we analyze the defects associated with the structural relaxation resulting from con gurations with different metastabilities on semiconductor structure, based on EXAFS measurements of the annealed sample at di erent temperatures up to its consequent recrystallization. Finally, we want to characterize how the implantation uence in uences the degree of amorphisation of the samples.